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BTS110
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BTS110技术资料：MOSFET N-CH 100V 10A TO-220

标准包装：500
系列：TEMPFET®
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：10A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：200 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：600pF @ 25V
功率 - 最大值：40W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB